admin
28 Temmuz 2026 Salı
DİĞER YAZARLARIMIZ
Intel 14A için takvim öne çekildi!
News
Intel, 2026 ikinci çeyrek finansal sonuçlarını açıklarken Foundry faaliyetlerine ait değerli bir güncelleme de paylaştı. Şirketin CEO’su Lip-Bu Tan, Intel 14A üretim teknolojisinin yüksek hacimli üretim gayesinin bir yıl öne çekildiğini duyurdu. Bu atak, 14A sürecinin beklenenden süratli geliştiğine işaret ediyor.
Yapılan açıklamaya nazaran Intel 14A üretim süreci 2029 yerine artık 2028 yılında seri üretime girecek. Bununla birlikte Intel, şirket içi eserler için 14A risk üretiminin 2027’nin ikinci yarısında başlayacağını açıkladı. Bu evre da tekrar bir yıl geri çekilmiş durumda.
Intel Foundry maksatlarını aştı
Lip-Bu Tan, Intel Foundry’nin hem şirket içi eser takımlarından hem de dış müşterilerden aldığı ilginin arttığını söyledi. Intel’e nazaran Intel 7, Intel 3 ve Intel 18A üretim süreçleri, ikinci çeyrekte şirketin iç hacim amaçlarını aşmayı başardı.
Bilhassa Intel 18A sürecindeki üretim artışı değerli. Zira bu süreç yakında piyasaya çıkacak Panther Lake (Core Ultra Series 3) ve Wildcat Lake (Core Series 3) işlemcilerde kullanılacak.
14A, 18A’nın önüne geçti
Intel’in paylaştığı bilgilere nazaran 14A üretim teknolojisi, geliştirme sürecinin bu kademesinde kusur yoğunluğu ve transistör performansı açısından 18A’dan daha yeterli sonuçlar veriyor.
Şirket, geliştiricilere yönelik PDK 0.5 paketini kullanıma sunduğunu, PDK 0.9 sürümünün ise bu yılın ekim ayında yayınlanmasının planlandığını açıkladı. Bu arada Intel, 18A-P süreci için de risk üretimine başladığını da duyurdu.
Galaxy Z Fold 8 serisi Samsung kalemi desteklemiyor!
News
Samsung, bugün Londra’daki Galaxy Unpacked etkinliğinde Galaxy Z Fold 8 Ultra, Z Fold 8 ve Z Flip 8’i tanıttı. Telefonlar güçlü özellikler ve kullanışlı işlevlerle dolu olsa da, bir şey eksik: S Pen.
Z Fold 7 ile S Pen kalem dayanağı kaldırılmıştı
Ne Galaxy Z Fold 8 ne de Z Fold 8 Ultra, S Pen dayanağına sahip değil. Bu, şaşırtan değil zira; Samsung, Galaxy Z Fold 7 ile birlikte kalem takviyesini kaldırmıştı. Samsung, telefonu daha ince hale getirmek için Z Fold 7’den sayısallaştırıcı katmanı kaldırdı; S Pen dayanağı de kalkmış oldu. Bu katman, S Pen’in pozisyonunu algılamaktan ve kullanıcıların Samsung aygıtlarında yazı yazmasına, çizim yapmasına ve fotoğraf çizmesine imkan sağlamaktan sorumlu.
Eski Z Fold modelleri, Galaxy S Ultra serisinin tersine kasasında S Pen için özel bir yuvaya sahip olmasa da, kullanıcılar S Pen’i farklı olarak satın alıp Samsung’un S Pen’i saklayan kılıflarından birini kullanarak telefonla birlikte tutabiliyorlardı. S Pen sırf Z Fold serisinin iç ekranında destekleniyordu. Bu durum, kullanıcılar için kimi kullanım senaryolarını otomatik olarak ortadan kaldırıyordu; örneğin, arama sırasında süratlice not almak üzere. Z Fold 8 serisiyle birlikte, Samsung’un S Pen takviyesini getirmesi beklenmiyordu fakat, kalemin markanın en yeni jenerasyon katlanabilir telefonlarında da desteklenmediği artık doğrulandı.
Ne yazık ki, S Pen hayranıysanız, Galaxy S serisi ya da Galaxy Tab ile yetinmek zorunda kalacaksınız. Ya da eski Fold aygıtınızı, daha fazla randıman alamayacağınız vakte kadar kullanmaya devam edeceksiniz. Gelecekteki Fold modellerine gelince, Samsung’un geniş Fold modellerinin S Pen’i desteklemesi pek mümkün görünmüyor. Tabii ki Samsung sürpriz yapabilir.
Samsung Galaxy Z Fold 8 Türkiye fiyatı ne kadar?
Fiyatlara gelince, Samsung Galaxy Z Fold 8 Ultra 152 bin TL; Galaxy Z Fold 8 132 bin TL; Z Flip 8 ise 97 bin TL’den başlayan fiyatlarla Türkiye’de 11 Ağustos’ta satışa çıkacak.
Rusya, 150nm elektron ışını litografi sistemini tanıttı
News
Rusya’nın yarı iletken alanındaki yerli üretim çalışmaları sürüyor. Ülkeden gelen yeni açıklamaya nazaran, Zelenograd Nanoteknoloji Merkezi, 150 nanometre çözünürlüğe sahip elektron ışını direkt yazım (Electron Beam Direct Write) litografi sisteminin prototipini geliştirmeyi başardı. “Progress ELL 150” olarak isimlendirilen sistem, bilhassa düşük hacimli özel çip üretimine odaklanıyor.
Elektron ışını litografi nasıl çalışıyor?
Rus basınında yer alan bilgilere nazaran prototip sistem, Haziran 2026’da tamamlandı. Şirket şu anda iki farklı prototip üzerinde yaklaşık dört ay sürecek birinci testleri yürütüyor. Bu sürecin akabinde desenleme hassasiyeti, doğruluk düzeyi ve öteki teknik özellikler detaylı biçimde pahalandırılacak. Elektron ışını litografi (Electron Beam Lithography – EBL), klâsik fotolitografi yollarından farklı olarak fotomaske kullanmadan direkt desen oluşturabiliyor.
Bu sayede prototip geliştirme ve düşük hacimli üretimde yüksek esneklik sunuyor. Lakin sistemin en büyük dezavantajı, üretim suratının fotolitografi makinelerine kıyasla epeyce düşük olması. Bu sebeple EBL teknolojisi günümüzde büyük ölçekli çip üretiminde değil, daha çok gelişmiş fotomaskelerin hazırlanması yahut araştırma emelli üretim süreçlerinde kullanılıyor.
Öncelik savunma ve uzay sanayisi
Rusya’nın geliştirdiği sistemin tüketici elektroniği için seri üretim hedeflemediği belirtiliyor. Bunun yerine savunma ve uzay endüstrisinde gereksinim duyulan, üretim hacmi görece düşük lakin özelleştirilmiş yarı iletkenlerin üretiminde kullanılabilir. Bu çeşit uygulamalarda üretim kapasitesinden çok tasarım esnekliği ön plana çıktığı için elektron ışını litografi teknolojisinin ticari açıdan manalı bir seçenek pozisyonunda.
150nm, günümüzün 2nm ve 3nm üzere ileri üretim süreçlerinin epeyce gerisinde kalsa da, Rusya’da yerli litografi sistemleri açısından değerli bir avantaj sağlayabilir. Sistemin seri üretime uygun hale gelip gelmeyeceği ise test sürecinin tamamlanmasının akabinde netlik kazanacak.
Çinli bilim insanları tek elektronla data depoladı
News
Çin’deki araştırmacılar, data depolama teknolojisinde ihtilal yaratabilecek yeni bir bellek çipi geliştirdi. Şanghay’daki Fudan Üniversitesi’nden bilim insanlarının geliştirdiği iki boyutlu flaş bellek, oda sıcaklığında sırf tek bir elektron kullanarak bilgi depolayabiliyor. Bu yaklaşım, belleklerin güç tüketimini büyük ölçüde azaltırken, gelecekte yapay zeka modellerinin akıllı telefonlarda çok daha verimli çalışmasının önünü açabilir.
Günümüzde kullanılan en gelişmiş rastgele erişimli bellek (RAM) tahlillerinde, tek bir bit bilginin sağlam halde saklanabilmesi için yaklaşık 200 bin elektrona gereksinim duyuluyor. Bu yüksek elektron ihtiyacı ise belleklerin kıymetli ölçüde güç tüketmesine sebep oluyor. Yeni teknoloji, bu gereksinimi dramatik biçimde azaltarak data işlemenin bulut data merkezleri yerine direkt aygıt üzerinde yapılabilmesini hedefliyor.
Grafen tabanlı ultra ince gereçler kullanıldı
Çalışmaya liderlik eden mikroelektronik profesörü Zhou Peng ve grubu, grafen tabanlı ultra ince gereçler kullanarak iki boyutlu yeni bir flaş bellek mimarisi tasarladı. Araştırmacılar, elektronların kaçmasını engelleyen özel bir yapı geliştirerek tek bir elektronun oluşturduğu sinyali güçlendirmeyi başardı. Deneylerde tek elektronun oluşturduğu sinyal yaklaşık 0,5 volt düzeyine ulaştı. Bu kıymet, misal deneysel sistemlerde görülen sırf birkaç milivolt düzeyindeki sinyallerden çok daha yüksek.
Araştırmacılar geliştirdikleri yola, Çince’de “bire dönüş” manasına gelen Guiyi ismini verdi. İsim, Budist bir deyişte geçen “küçük bir hardal adedinin bile büyük gerçekleri içinde barındırabileceği” fikrinden ilham alıyor.
Guiyi tekniği sadece tek elektronla bilgi depolamayı göstermekle kalmadı. Tıpkı vakitte programlama voltajının kuantum düzeylerinde hassas halde denetim edilebildiğini ve “kendini sınırlayan programlama” davranışını da doğruladı. Bu özellikler sayesinde gelecekte tek bir bellek hücresinde daha fazla bilgi depolanmasının mümkün olabileceği belirtiliyor.
Hedef beş yıl içinde ticarileştirmek
Zhou Peng, teknolojiyi laboratuvardan ticari esere dönüştürmek emeliyle bu yıl içinde bir şirket kurmayı planlıyor. Araştırmacıya nazaran seri üretim süreci muvaffakiyetle tamamlanabilirse yeni bellek teknolojisi önümüzdeki beş yıl içinde pazara sunulabilir ve mevcut data depolama tahlillerini önemli ölçüde değiştirebilir.
Fudan Üniversitesi takımı daha evvel de dikkat çeken bellek teknolojilerine imza atmıştı. Araştırmacılar geçen yıl PoX ismi verilen dünyanın en süratli kalıcı belleğini tanıtmış, akabinde Changying isimli atomik çip entegrasyon platformunu geliştirerek iki boyutlu bellekleri silikon tabanlı donanımlarla birleştirmeyi başarmıştı.
Samsung Galaxy S27 serisinde büyük sürpriz
News
Samsung’un uzun müddettir Çinli rakiplerinin gerisinde kaldığı silikon-karbon batarya teknolojisini Galaxy S27 serisiyle birlikte amiral gemisi telefonlarına taşımaya hazırlanıyor olabilir. Güney Koreli bir kaynağın paylaştığı bilgilere nazaran şirket, yeni batarya teknolojisini etkin olarak test ediyor.
Sektörde sağlam sızıntılarıyla bilinen Lanzuk (@yeux1122), Samsung’un Galaxy S27 ailesi için silikon-karbon bataryalar üzerinde çalıştığını sav etti. Fakat şirketin şimdi sonuncu batarya kapasitesine karar vermediği belirtiliyor.
Galaxy S27 Ultra 5.500 mAh bataryayla gelebilir
Sızıntıya nazaran Samsung, yeni batarya teknolojisi sayesinde kapasiteyi yaklaşık %10 artırmayı hedefliyor. Bu durumda mevcut 5.000 mAh kapasiteye sahip Ultra modelin yerini alacak Galaxy S27 Ultra, yaklaşık 5.500 mAh bataryayla piyasaya çıkabilir.
Ancak yeni batarya teknolojisinin Galaxy S27 serisinin tamamında kullanılacağı mutlaklaşmış değil. Teze nazaran Samsung, maliyet sebebiyle silikon-karbon bataryayı sadece Galaxy S27 Pro ve Ultra modellerinde kullanmayı planlıyor.
Silikon-karbon bataryalar, birebir fizikî boyutta daha yüksek güç yoğunluğu sunduğu için aygıtın kalınlığını artırmadan daha büyük batarya kullanımına imkan tanıyor. Bu bataryaların en değerli dezavantajlarından biri ise klâsik lityum iyon bataryalara kıyasla daha süratli kapasite kaybı yaşayabilmeleri.
İddiaya nazaran Samsung’un yeni tanıttığı katlanabilir telefonlarda kullanılan silikon-karbon bataryalar, geçen yılki Galaxy Fold modellerine nazaran daha süratli yıpranıyor. Buna karşın bu bataryaların dayanıklılık açısından Galaxy S26 serisiyle emsal düzeyde olduğu ve Pixel ile iPhone modellerindeki bataryalara kıyasla daha güzel performans gösterdiği belirtiliyor.